V technológii elektronických prístrojov sa plynné a kvapalné látky, používané ako prevádzkové médium pri získaní východiskových a prechodných špeciálnych materiálov a taktiež pri výrobe a montáži diskrétnych polovodičových prístrojov, integrálnych schém a systémov na ich základe nazývajú technologické médiá (ТM).
K plynným TM patria plyny a ich zmesi a taktiež technologické vákuum. Plynné TM sa používajú v technologických procesoch napríklad ako nosiče, riedidlá, leptadlá, neutrálne médium.
Kvapalnými médiami TM sú očistená voda a taktiež organické a neorganické kvapaliny (chemikálie). Kvapalné TM sa používajú ako rozpúšťadlá, leptadlá, vyvolávače, elektrolyty atď.
Do zvláštnej triedy TM je možné dať viacfázové alebo disperzné systémy (emulzie, suspenzie, spreje) vrátane takých, ktoré menia počas použitia svoje agregátne stavy (napríklad fotorezistory alebo sklené zdroje pre difúziu).
Podľa úrovne aktivity voči základnému objektu sa delia technologické procesy TM na agresívne a neutrálne. Za agresívne TM sa považuje kyslík alebo halogenovodíky (v zohriatom stave) ako aj roztoky a zmesi niektorých kyselín; používajú sa pri leptaní na celej ploche alebo lokálne za účelom získania oxidových a iných povlakov na povrchu polovodičovej dosky. Neutrálnymi TM voči tým istým materiálom sú napríklad vysoký vákuum alebo voda a organické rozpúšťadlá (pri izbovej teplote); používajú sa pre ochranu výrobného objektu od škodlivého vplyvu vonkajšieho prostredia alebo agresívnych komponentov technologického procesu ako aj pre dopravu alebo riedenie činidiel, pre čistenie povrchu polovodičových dosiek a iných.
Najdôležitejšou požiadavkou k TM je vysoká čistota základného komponentu. TM nemusia vyvolávať na výrobný objekt nežiaduci (vedľajší) fyzikálny alebo chemický vplyv okrem stanoveného technologickým procesom. Prítomnosť rozpustených a rozptýlených disperzných prímesí v TM privádza k vytvoreniu defektov vo východiskových a prechodných materiáloch, k nekontrolovanej zmene elektrofyzikálnych vlastností, príp. v konečnom dôsledku k nízkym technicko-ekonomickým ukazovateľom výroby. Úroveň čistoty TM podľa limitovaných prímesí sa musí v rade prípadov byť vyššia ako čistota základných polovodičových materiálov, používaných pri tých istých procesoch. Napríklad v čistých technologických priestoroch, kde sa vykonávajú najdôležitejšie operácie výroby SBIS je v 1 m3 vzduchu prípustný obsah najviac 3-35 častíc prachu s rozmermi 0,1-0,3 μm; obzvlášť čistá voda, používaná v tých istých procesoch pri maximálnom špecifickom elektrickom odpore (р=18 МОм-cm pri 200 С) musí byť prakticky voľná od organických prímesí a oxidu kremičitého a maximálny obsah rozptýlených častíc s rozmermi viac ako 0,1 μm (vrátane baktérií) v 1 l nesmie presahovať 1-5. Dosiahnutie požadovanej čistoty TM a jej udržanie počas celého výrobného procesu je technicky zložitejším problémom.
V prvom rade jej efektívne riešenie má dôležitý význam pre mikroelektroniku, kde sa jej venuje prioritná pozornosť. Pre prvotné (centralizované) a konečné (lokálne) odstránenie rozpustených a rozptýlených mikroprímesí z TM vrátane mikroorganizmov sa používajú kombinácie rôznych fyzikálno-chemických metód čistenia ako napríklad adsorpcia, rektifikácia, destilácia, iónová výmena, ožarovanie ultrafialovými lúčmi, filtrácia. Najuniverzálnejšou a najviac používanou metódou čistenia TM v elektronickom priemysle je membránová filtrácia (vrátane mikrofiltrácie, ultrafiltrácie a spätnej osmózy).
